1)安裝1)按電路元件明細表配齊元件，并對元件進(jìn)行檢測。2)在面包板上根據電路圖合理安排元件的位置。3)安裝元件，確認無(wú)誤后調試。(2)調試安裝完畢的電路經(jīng)檢查確認無(wú)誤后，接通電源進(jìn)行調試。先調控制電路，然后再調試主電路。控制電路的調試步驟是：在控制電路接上電源后，先用示波器觀(guān)察穩壓管兩端的電壓波形，應為梯形波；再觀(guān)察電容器兩端的電壓波形，應為鋸齒波；調節電位器RP，鋸齒波的頻率有均勻的變化。表12—2所示為觸發(fā)電路各點(diǎn)的波形圖。主電路的調試步驟是：用調壓器給主電路加一個(gè)低電壓(40～50V)，用示波器觀(guān)察晶閘管陽(yáng)、陰極之間的電壓波形。波形上有一部分是一條平線(xiàn)，它是晶閘管的導通部分；調節電位器RP，波形中平線(xiàn)的長(cháng)度隨之變化，表示晶閘管導通角可調，電路工作正常。否則要檢查原因，排除故障后，重新調試。待檢查無(wú)誤后，給主電路加工作電壓，燈泡EL發(fā)光。調節RP，當增大RP時(shí)，則EL變暗；當減小RP時(shí)，則EL變亮，說(shuō)明電路工作正常。正高電氣具有一支經(jīng)驗豐富、技術(shù)力量過(guò)硬的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人才管理團隊。濟南MTDC250晶閘管智能模塊批發(fā)

逆變橋進(jìn)入工作狀態(tài)，開(kāi)始起振，若不起振，表現為它激信號反復作掃頻動(dòng)作，可調節中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線(xiàn)對調一下。若把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線(xiàn)對調后，仍然起動(dòng)不起來(lái)。此時(shí)應確認一下槽路的諧振頻率是否正確，可以用電容/電感表測量一下電熱電容器的電容量及感應器的電感量，計算出槽路的諧振頻率，當槽路的諧振頻率處在比較高它激頻率的，起動(dòng)應該是很容易的。再著(zhù)就是檢查一下逆變晶閘管是否有損壞的。（W3W4）逆變起振后，可做整定逆變引前然的工作，把DIP開(kāi)關(guān)均打在OFF位置，用示波器觀(guān)察電壓互感器100V繞組的波形，調節主控板上W4微調電位器，使逆變換相引前角在22°左右，此時(shí)中頻輸出電壓與直流電壓的比為（若換相重疊角較大，可適當增大逆變換相引前角），此步整定的是**小逆變引前角，一般期望它盡可能的小，當然，過(guò)小的逆變換相此前角會(huì )使逆變換相失敗，表現為中頻電壓升高時(shí)，會(huì )出現重復起動(dòng)。再把DIP-2開(kāi)關(guān)打在ON位置，調節主控板上W3微調電位器，整定比較大逆變換相引前角。根據不同的中頻輸出電壓的要求，比較大逆變換相引前角亦不同，如中頻裝置三相輸入電壓為380V，額定中頻輸出電壓為750V時(shí)。威海MTDC200晶閘管智能模塊組件正高電氣具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗。

[1]單結管即單結晶體管，又稱(chēng)為雙基極二極管，是一種具有一個(gè)PN結和兩個(gè)歐姆電極的負阻半導體器件。常見(jiàn)的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類(lèi)。單結晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數有：①分壓比η，指單結晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點(diǎn)電壓UP，是指單結晶體管剛開(kāi)始導通時(shí)的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對應的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP。③谷點(diǎn)電壓UV，是指單結晶體管由負阻區開(kāi)始進(jìn)入飽和區時(shí)的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對應的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流IV。[4]單結晶體管共有三個(gè)管腳，分別是：發(fā)射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結晶體管的管腳電極。[5]單結晶體管**重要的特性是具有負阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結管為例）。當發(fā)射極電壓UE大于峰點(diǎn)電壓UP時(shí)，PN結處于正向偏置，單結管導通。隨著(zhù)發(fā)射極電流IE的增加，大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體，導致發(fā)射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現出負阻特性。[6]檢測單結晶體管時(shí)，萬(wàn)用表置于“R×1k”擋。

2）要準確測量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測試設備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測。由于測試條件不同，測量結果*供參考，或作為相對比較的依據。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱(chēng)反向導通晶閘管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結構，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導晶閘管的關(guān)斷時(shí)間*幾微秒，工作頻率達幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開(kāi)關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續流二極管各一只，不僅使用方便，而且能簡(jiǎn)化電路設計。逆導晶閘管的符號、等效電路如圖1(a)、(b)所示。其伏安特性見(jiàn)圖2。由圖顯見(jiàn)，逆導晶閘管的伏安特性具有不對稱(chēng)性，正向特性與普通晶閘管SCR相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（*坐標位置不同）。追問(wèn)：兄弟圖呢？回答：變頻器的基本工作原理是，首先將三相/單相交流電通過(guò)整流，使之變成直流電壓，為了保證直流電壓的穩定，在正負兩端連接電解電容；為了提高輸入測的功率因數及減少電容的紋波電流，很多變頻器都配置直流再經(jīng)過(guò)逆變模塊的作用。正高電氣尊崇團結、信譽(yù)、勤奮。

對其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無(wú)窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極，加上正向觸發(fā)信號，表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經(jīng)導通；脫開(kāi)G極，只要GTO維持通態(tài)，就說(shuō)明被測管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負向觸發(fā)信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無(wú)窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí)，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉格數n1；再接上表Ⅱ強迫GTO關(guān)斷，記下表Ⅱ的正向偏轉格數n2。根據讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是，不需要具體計算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應的表針正向偏轉格數，即可迅速估測關(guān)斷增益值。注意事項：（1）在檢查大功率GTO器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節′，以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導通。。正高電氣熱忱歡迎新老客戶(hù)惠顧。濟南MTDC250晶閘管智能模塊批發(fā)

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檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負）接單結晶體管除發(fā)射極E以外的兩個(gè)管腳，讀數應為3～10kΩ。[7]檢測PN結正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個(gè)基極，讀數均應為數千歐。對調兩表筆后檢測PN結反向電阻，讀數均應為無(wú)窮大。如果測量結果與上述不符，說(shuō)明被測單結管已損壞。[8]測量單結晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個(gè)測量電路，用萬(wàn)用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。[9]單結晶體管的基本應用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結構大為簡(jiǎn)化。圖示為單結晶體管弛張振蕩器。單結管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，基極輸出窄脈沖，第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈RECln[1/（1-η）]，式中，ln為自然對數，即以e（）為底的對數。[10]單結晶體管還可以用作晶閘管觸發(fā)電路。圖示為調光臺燈電路。在交流電的每半周內，晶閘管VS由單結管VT輸出的窄脈沖觸發(fā)導通，調節RP便改變了VT輸出窄脈沖的時(shí)間，即改變了VS的導通角，從而改變了流過(guò)燈泡EL的電流，實(shí)現了調光的目的。[11]晶體閘流管簡(jiǎn)稱(chēng)為晶閘管，也叫做可控硅。濟南MTDC250晶閘管智能模塊批發(fā)

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